昨日高通在美国正式发布骁龙835处理器，目前该处理器已经进入量产阶段，或最早将于2017年下半年和大家见面。

昨日，高通公司和三星电子有限公司延续双方十年的战略性晶圆代工合作，并推出首款采用三星10纳米FinFET制作工艺的高通旗舰处理器——骁龙835。

采用10纳米FinFET制作工艺的骁龙835处理器比上代14纳米FinFET工艺相比，芯片尺寸减少30%尺寸，但性能却提升27%，功耗降低40%。

既然芯片减小了近30%的体积，那么也就意味着在今后推出使用该处理器的旗舰手机中，可以支持更大容量电池或更轻薄的设计。

并且，配合高通最新推出的QC4.0技术（Quick Charge 4），可实现更快速充电。据高通称，QC4.0技术能在大约15分钟或更短时间内，充入高达 50%的电池电量，相比前代QC 3.0（Quick Charge 3），用户可享受到高达20%的充电速度提升。

这次高通可谓是“兵马未动，粮草先行”，目前骁龙835处理器已经投入生产，将于2017年上半年出货，也就是说明年下半年旗舰手机中很可能率先搭载这枚芯片。

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