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SD卡工厂 高通骁龙835处理器发布 采用三星10nm制程

发布于:2016-11-21   文字: 【】  【】  【

 

 

昨日高通在美国正式发布骁龙835处理器,目前该处理器已经进入量产阶段,或最早将于2017年下半年和大家见面。

昨日,高通公司和三星电子有限公司延续双方十年的战略性晶圆代工合作,并推出首款采用三星10纳米FinFET制作工艺的高通旗舰处理器——骁龙835。

采用10纳米FinFET制作工艺的骁龙835处理器比上代14纳米FinFET工艺相比,芯片尺寸减少30%尺寸,但性能却提升27%,功耗降低40%。

既然芯片减小了近30%的体积,那么也就意味着在今后推出使用该处理器的旗舰手机中,可以支持更大容量电池或更轻薄的设计。

并且,配合高通最新推出的QC4.0技术(Quick Charge 4),可实现更快速充电。据高通称,QC4.0技术能在大约15分钟或更短时间内,充入高达 50%的电池电量,相比前代QC 3.0(Quick Charge 3),用户可享受到高达20%的充电速度提升。

这次高通可谓是“兵马未动,粮草先行”,目前骁龙835处理器已经投入生产,将于2017年上半年出货,也就是说明年下半年旗舰手机中很可能率先搭载这枚芯片。

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